AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的蚀坑研究Studies of Etch-pits on AgGa-(1-x)In_xSe_2 Crystal
马杰华,朱世富,赵北君,赵国栋,杨帆,陈宝军,何知宇
摘要(Abstract)：
晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度(EPD)的观测是检验晶体质量的一个重要方法.用改进的Bridgman法生长出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了(101)晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小.结果表明:采用HNO3:HCl=1:2.5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑.发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础.
关键词(KeyWords)： AgGa1-xInxSe2晶体;腐蚀;金相显微镜;蚀坑形状
基金项目(Foundation): 教育部博士点基金项目(20040610024)
作者(Author): 马杰华,朱世富,赵北君,赵国栋,杨帆,陈宝军,何知宇
参考文献(References)：
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