新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2009, v.26;No.116(04) 444-449

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究
Preparation and Properties of C-axis Preferred Orientation AIN Thin Films by Pure Nitrogen Reactive Sputtering

杨世才;阿布都艾则孜·阿布来提;简基康;郑毓峰;孙言飞;吴荣;

摘要(Abstract):

在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2~13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80~1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV.

关键词(KeyWords): 氮化铝;磁控反应溅射;择优取向;纯氮气

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(No.10864004;No.50862008);; 新疆大学博士启动基金(No.BS080109;No.BS060110)

作者(Author): 杨世才;阿布都艾则孜·阿布来提;简基康;郑毓峰;孙言飞;吴荣;

Email:

DOI:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享