简基康,郑毓峰,马忠权,李冬来,徐少辉

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摘要(Abstract)：

用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev

关键词(KeyWords)： IndiumTinOxide薄膜;射频溅射;Hall系数

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 简基康,郑毓峰,马忠权,李冬来,徐少辉

参考文献(References)：

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