新疆大学学报(自然科学版)

2009, v.26;No.115(03) 327-331

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AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究
Properties of Aluminum Nitride Thin Films Grown by Radio Frequency Magnetron Sputtering Using AlN Target

阿布都艾则孜·阿布来提;杨世才;简基康;郑毓峰;孙言飞;吴荣;

摘要(Abstract):

以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,薄膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变.

关键词(KeyWords): AlN靶;射频溅射;倾斜扫描(STD);AFM;折射率

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(No.10864004;No.50862008);; 新疆大学博士启动基金(No.BS080109;No.BS060110)

作者(Author): 阿布都艾则孜·阿布来提;杨世才;简基康;郑毓峰;孙言飞;吴荣;

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