新疆大学学报(自然科学版)

2005, (04)

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碲化镉纳米线的制备和生长机理分析
Growth of CdTe Nanowires and Analyse of Growth Mechanism

姜海涛,郑毓峰,简基康,孙言飞,陈艳华

摘要(Abstract):

利用物理气相沉积方法,在S i衬底上制备了CdT e纳米线和纳米晶.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究表明所得产物为四方结构CdT e.CdT e纳米线的直径约20nm,长度约为几个微米,纳米晶粒径约为100 nm.分析了载流气体流速、温度等因素对过饱和度的影响,进而影响低维纳米材料的形貌结构.

关键词(KeyWords): 物理气相沉积(PVD);CdTe;纳米线;纳米晶;生长机理

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(50062002)

作者(Author): 姜海涛,郑毓峰,简基康,孙言飞,陈艳华

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