新疆大学学报(自然科学版)

2002, (01) 1-5

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共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析
Co-Sputtered Cu-In Alloy Thin Film and Its Electrical Property

马忠权,徐少辉,郑毓峰,简基康,李冬来

摘要(Abstract):

采用共溅射方法制备了 Cu-In合金膜 ,并讨论了 Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对 Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响 .结果显示 ,Cu-In合金膜仅有单峰 ,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变 .用费 -桑理论对 Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析 ,临界厚度的讨论结果表明 ,溅射 3~ 4min是面电阻的转变点 ,而电学参数分析也给出相同的结果

关键词(KeyWords): 共溅射;Cu-In合金膜;结构;电学性质;费-桑理论;临界厚度

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金 (5 9862 0 0 2 ) ;; 新疆维吾尔自治区自然科学基金 (970 91 8);; 地区自然科学基金的资助 (№ .9781 9)

作者(Author): 马忠权,徐少辉,郑毓峰,简基康,李冬来

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