新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2000, (03) 19-22

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

射频溅射Indium-Tin-Oxide薄膜的结构和光电性质
Structural,Optical and Electrical Properties ofIndium-Tin-Oxide Thin Films by rf Sputtering

简基康,郑毓峰,马忠权,李冬来,徐少辉

摘要(Abstract):

用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev

关键词(KeyWords): IndiumTinOxide薄膜;射频溅射;Hall系数

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 简基康,郑毓峰,马忠权,李冬来,徐少辉

Email:

DOI:

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享