新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2014, v.31;No.136(04) 455-458

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镓源对氮化镓纳米线形貌的影响
The Influence of Ga Source on the Morphology of GaN Nanowires

孙洪强;吴荣;李锦;简基康;

摘要(Abstract):

用催化剂辅助的化学气相沉积法合成了单晶氮化镓纳米线.通过调节镓原子的供应量从而影响过饱和度,研究不同过饱和度对氮化镓纳米线生长形貌的影响.用金作为催化剂辅助纳米线的生长,纳米线是按照气-液-固生长机制形成的.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量色散X射线谱(EDS)和光致发光(PL)对产物的形貌、结构和发光性质进行了表征和分析.发现维持氨气流量不变,随着生长的进行,镓原子浓度降低,从而导致体系的过饱和度下降,由其驱动的纳米线的形貌发生变化,出现直径变细的现象.

关键词(KeyWords): 晶体生长;氮化镓;纳米线

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(51172193)资助

作者(Author): 孙洪强;吴荣;李锦;简基康;

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参考文献(References):

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