新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2001, (03) 330-335

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硒化共溅射Cu-In合金法制备CuInSe_2多晶薄膜
Fabrication of Polycrystalline CuInSe_2 Film by Selenization of Co-sputtered Cu-In Alloys

徐少辉,马忠权,李冬来,简继康,郑毓峰

摘要(Abstract):

用共溅射方法和固态源硒化法 ,分别合成了 Cu- In合金膜和 Cu In Se2 (CIS)多晶薄膜 ,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术 ,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌及其电学性质 .分析结果显示 ,Cu- In合金膜仅有单峰 ,晶面间距约 2 .13A,CIS薄膜的几个主峰与 PDF卡中的数据对应得很好 ,并且 (112 )峰有择优取向 .CIS样品的电学参数随着 Cu/ In比例和基片种类的不同而变化 ,面电阻从几个到几十个 Ω/□ ,面载流子浓度达 10 18/ cm2数量级 ,迁移率在 0 .1~ 3.0 cm2 / V.s之间 .并讨论了 Cu/ In比例对两种薄膜性质的影响 ,分析结果显示 ,In占总溅射面积的 3%是 Cu/In比例的转折点 .此时 ,CIS薄膜的结构、PN导电类型都有明显变化 ,而且用扫描电镜进行形貌分析也证明了这一点

关键词(KeyWords): 共溅射;Cu-In合金膜;硒化法;CIS薄膜;结构;电学性质

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 徐少辉,马忠权,李冬来,简继康,郑毓峰

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