新疆大学学报(自然科学版)

2020, (01) 1-6

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氧化层对掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的影响
Effect of Oxide Layer on Young's Modulus of Doped Single Crystal Silicon Nanofilms

王静;叶开秀;

摘要(Abstract):

本文基于半连续体模型,利用Keating形变势从理论上研究了掺杂磷原子的硅纳米薄膜存在氧化层时,薄膜厚度对杨氏模量的影响;并且研究了氧化层的厚度对薄膜杨氏模量的影响.研究结果显示,薄膜的杨氏模量与它的厚度有关系,氧化层的存在增加了硅膜的杨氏模量,随着厚度的减小杨氏模量不断增加,最后趋于稳定;并且氧化层的厚度越大,硅纳米薄膜的杨氏模量越大.

关键词(KeyWords): 硅纳米薄膜;掺杂;氧化层;杨氏模量

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2018D01C077)

作者(Author): 王静;叶开秀;

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