新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2009, v.26;No.113(01) 78-81

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
Study of In Segregation Phenomena during AgGa(1-x)In_xSe_2 Crystal Growth

杨帆;赵北君;朱世富;赵国栋;马杰华;万书权;陈宝军;何知宇;

摘要(Abstract):

采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.

关键词(KeyWords): AgGa1-xInxSe2;单晶体;分凝系数;晶胞常数

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 教育部博士点基金项目(20040610024)

作者(Author): 杨帆;赵北君;朱世富;赵国栋;马杰华;万书权;陈宝军;何知宇;

Email:

DOI:

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享