杨帆,赵北君,朱世富,赵国栋,马杰华,万书权,陈宝军,何知宇

• 1:四川大学材料科学系

摘要(Abstract)：

采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.

关键词(KeyWords)： AgGa1-xInxSe2;单晶体;分凝系数;晶胞常数

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 教育部博士点基金项目(20040610024)

作者(Author): 杨帆,赵北君,朱世富,赵国栋,马杰华,万书权,陈宝军,何知宇

参考文献(References)：

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