新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2008, No.112(04) 458-460+465

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垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究
Study of Dislocation Distribution on Cd_(1-x)Zn_xTe Crystal Using Vertical Bridgman Method

王智贤;赵北君;朱世富;邱春丽;李新磊;何知宇;陈宝军;

摘要(Abstract):

使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.

关键词(KeyWords): CdZnTe晶体;蚀坑;位错分布;完全弛豫弹性应力近似

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金项目(60276030)

作者(Author): 王智贤;赵北君;朱世富;邱春丽;李新磊;何知宇;陈宝军;

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