新疆大学学报(自然科学版)(中英文)

2010, v.27;No.120(04) 469-472

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多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线
Catalyst-free Synthesis of GaN Nanowires on Porous Silicon

杨玮;吕小毅;吴荣;郑毓峰;孙言飞;简基康;

摘要(Abstract):

采用化学气相沉积(CVD)法,在1050℃的温度下,以多孔硅(PS)为衬底,成功地制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)和光致发光(PL)谱对样品的物相、形貌、成分及发光性质进行了分析.研究结果表明,产物为六方纤锌矿结构的GaN纳米线,纳米线的直径范围为30nm到100nm,长度达几十微米,位于376.2nm处有一带边发射峰,在435.8nm处有一个因缺陷引起的弱发光峰.最后简单讨论了制备GaN纳米线的相关化学反应和生长机制.

关键词(KeyWords): 化学气相沉积法;GaN;纳米线;多孔硅

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(No.10864004;No.50862008);; 新疆大学博士启动基金资助项目(No.BS080109);; 自治区高校科研计划科学研究重点项目(XJEDU2008I05)

作者(Author): 杨玮;吕小毅;吴荣;郑毓峰;孙言飞;简基康;

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DOI:

参考文献(References):

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